特許

J-GLOBAL ID：200903088292736835

炭化珪素素子及びその製造方法

発明者： 高橋 邦方 ,  北畠 真 ,  楠本 修 ,  内田 正雄 ,  山下 賢哉 ,  宮永 良子 ,  橋本 浩一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 奥田 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-117111
公開番号（公開出願番号）：特開2005-303010
出願日： 2004年04月12日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：

【課題】炭化珪素素子の製造方法において、製造工程を複雑にすることなく、活性化アニールによる炭化珪素層の表面凹凸を低減し、かつ、炭化珪素層の表面領域におけるドーパント濃度を高める。【解決手段】 炭化珪素素子の製造方法は、(A)表面がキャップ層5で覆われた炭化珪素層2を有する基板1を用意する工程と、(B)キャップ層5を介して炭化珪素層2の少なくとも一部に不純物イオン3を注入して不純物ドープ層6を形成する工程と、(C)キャップ層5で覆われた炭化珪素層5に対して活性化アニールを行う工程と、(D)基板1からキャップ層5を除去する工程とを包含し、工程(B)においては、炭化珪素層2の表面領域における不純物の濃度が、炭化珪素層2の内部における不純物の濃度の最大値の80%以上となるように不純イオン3を注入する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

(A)表面がキャップ層で覆われた炭化珪素層を有する基板を用意する工程と、 (B)前記キャップ層を介して前記炭化珪素層の少なくとも一部に不純物のイオンを注入して不純物ドープ層を形成する工程と、 (C)前記キャップ層で覆われた炭化珪素層に対して活性化アニールを行う工程と、 (D)前記基板から前記キャップ層を除去する工程と を包含し、 前記工程(B)においては、前記炭化珪素層の表面領域における前記不純物の濃度が、前記炭化珪素層内における前記不純物の濃度の最大値の80%以上となるように前記不純物イオンを注入する炭化珪素素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

FI (3件)：

H01L21/265 602C ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658A

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 炭化けい素半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-240172   出願人：富士電機株式会社