特許

J-GLOBAL ID：200903088298900980

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者： 田中 均 ,  牧山 剛三
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-111267
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326131
出願日： 1993年05月13日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】 化合物半導体装置及びその製造方法に関し、通常の構成及び製造する方法を大きく変えることなく、確実にショート・チャネル効果やサイド・ゲート効果を抑制することができるバッファ層を備えた化合物半導体装置を提供しようとする。【構成】 GaAs基板51上にBGaAsバッファ層52を成長させ、それを介し、諸半導体素子、例えばE/D-HEMT等を作り込む為の化合物半導体層であるAlGaAs障壁層53、ノンドープGaAsチャネル層54、n-AlGaAs電子供給層55、n-GaAs閾値電圧制御層56、n-AlGaAsからなる第二のエッチング停止層57、n-GaAs電極コンタクト層58、n-AlGaAsからなる第一のエッチング停止層59、n-GaAs電極コンタクト層60などを積層成長させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に成長されたBを含んだ高抵抗の化合物半導体バッファ層及びそれを介して成長され且つ諸半導体素子が作りこまれた化合物半導体層を備えてなることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 27/095

FI (3件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 E