特許

J-GLOBAL ID：200903088299275469

窒化炭素膜の薄膜製造装置及びその製造方法

発明者： 山下 信樹 ,  渡辺 俊哉
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-157256
公開番号（公開出願番号）：特開平11-350140
出願日： 1998年06月05日
公開日（公表日）： 1999年12月21日
要約：

【要約】【課題】 目的とする窒化炭素膜の組成及び構造が得られ、且つ、窒化炭素膜と基材との密着性を高める。【解決手段】 真空容器1内に基材5を配置し、プラズマ発生装置6により、窒素または窒素を含む材料ガスのプラズマを真空容器1内に供給すると同時に、プラズマ発生装置8により、炭素を含む材料ガスのプラズマを真空容器1内に供給する。次に、パルス高電圧電源11により、基材5に負のパルス状高バイアス電圧を印加して、イオン14を高エネルギーで基材5に引き込み、窒化炭素膜と基材との混合層を形成する。その後、直流電源12により、基材5に低い負の直流バイアス電圧を印加して、イオン14を低エネルギーで基材5に引き込み、窒化炭素膜の成膜をする。

請求項（抜粋）：

真空容器と、この真空容器に対して絶縁状態で基材を前記真空容器内に保持する基材ホルダーと、窒素または窒素を含む材料ガスをプラズマ化して前記真空容器内に供給する第1のプラズマ発生装置と、炭素を含む材料ガスをプラズマ化して前記真空容器内に供給する第2のプラズマ発生装置と、前記真空容器の電位を基準として負のパルス状高バイアス電圧を印加するパルス高電圧電源と、前記真空容器の電位を基準として低い負の直流バイアス電圧を印加する直流電源とを有することを特徴とする窒化炭素膜の薄膜製造装置。

IPC (2件)：

C23C 16/34 ,  C23C 14/06

FI (2件)：

C23C 16/34 ,  C23C 14/06 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-240959
  
• 特開平2-011762
  
• 特開平3-240959
  
• 特開平2-011762