不揮発性半導体記憶装置とその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-260766
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115142
出願日： 1993年10月19日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：

【要約】【目的】書き込みの効率を向上させることにより、書き込み時間の短縮、もしくは、書き込み電圧の低減を図る。【構成】チャンネルホットエレクトロンの速度ベクトル方向に、フローティングゲート5を形成することにより、フローティングゲート5へのチャンネルホットエレクトロンの注入効率を向上させ、それにより、書き込みの効率を向上させることができる不揮発性半導体記憶装置である。

請求項（抜粋）：

ソースとドレインを有する半導体基板上の第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上のフローティングゲートと、前記フローティングゲート上の第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上のコントロールゲートとを備え、前記フローティングゲートに、エレクトロンを注入する際に、チャンネルホットエレクトロンを用いる不揮発性メモリにおいて、前記チャンネルホットエレクトロンの方向及び速度を速度ベクトルとして現し、前記チャンネルホットエレクトロンの速度ベクトルの方向に、前記フローティングゲートを備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭60-246677
特開平1-291470
特開平3-280580

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