特許

J-GLOBAL ID：200903088306454706

炭化珪素単結晶インゴット、炭化珪素単結晶ウェハ及びその製造方法

発明者： 中林 正史 ,  藤本 辰雄 ,  澤村 充 ,  大谷 昇
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (5件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-299088
公開番号（公開出願番号）：特開2006-111478
出願日： 2004年10月13日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：

【課題】 本発明は、高品質かつ目的の特性を有するSiC単結晶ウェハを高歩留りで作製できるSiC単結晶インゴット及びその製造方法を提供する。【解決手段】 炭化珪素単結晶のドーパント元素濃度の最大値が5×1017atoms/cm3未満で、かつ、ドーパント元素濃度の最大値が最小値の50倍以下である炭化珪素単結晶インゴット、及びその製造方法である。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

炭化珪素単結晶のドーパント元素濃度の最大値が5×1017atoms/cm3未満で、かつ、ドーパント元素濃度の最大値が最小値の50倍以下であることを特徴とする炭化珪素単結晶インゴット。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  C01B 31/36

FI (2件)：

C30B29/36 A ,  C01B31/36 601A

Fターム (17件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB06 ,  4G077AB09 ,  4G077BE08 ,  4G077DA18 ,  4G077EB01 ,  4G077EC02 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G146MA14 ,  4G146MB07 ,  4G146MB14 ,  4G146MB18A ,  4G146MB18B ,  4G146PA20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 高低抗炭化ケイ素の製法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平7-505534   出願人：ダイムラー-ベンツアクチエンゲゼルシャフト, フラウンホーファー-ゲゼルシャフトツルフェルデルングデルアンゲヴァンテンフォルシュングエー.ファウ.

審査官引用 (2件)

• 炭化珪素単結晶及びその製造方法並びに炭化珪素単結晶育成用炭化珪素結晶原料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-301935   出願人：新日本製鐵株式会社
• 特開昭63-050399