特許
J-GLOBAL ID：200903088306559940
半導体の自由担体寿命等測定装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-329158
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177218
出願日： 1992年12月09日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：
【要約】【構成】同一光軸上を通る二つの波長の光を半導体試料40の同一場所に集光する。一方の光の波長は半導体のバンドギャップ付近のエネルギを持っているので、自由担体を励起することができ、他方の光はバンドギャップのエネルギより小さい波長の光であり、発生した自由担体による時間的な吸収率変化あるいは反射率変化を測定することが可能である。フィルタ21によりエネルギの小さいほうの光のみをピンホールにより検出し、時間変化あるいは観測場所による変化を画像表示する。【効果】半導体内部の自由担体の寿命に関連する物理量を、3次元的かつ高分解能,非破壊で測定できる。
請求項（抜粋）：
第一の波長の光を出射する第一の光源と、前記第一の光源からの前記第一の波長の光と、第二の波長の光を出射する第二の光源と、前記第二の光源からの前記第二の波長の光と、前記第一の波長の光及び前記第二の波長の光を同一場所に集光する第一の光学系と、半導体である観察物体と、前記観察物体を走査する手段あるいは光の集光位置を走査する走査手段と、二つの透過光を分離する手段と、分離された一方の透過光を集光する第二の光学系と、集光位置に設置されたピンホールと、前記ピンホールを透過した光を検出する光検出器とからなることを特徴とする半導体の自由担体寿命等測定装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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