特許
J-GLOBAL ID：200903088311259024
微細パターン形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-133342
公開番号（公開出願番号）：特開平8-328265
出願日： 1995年05月31日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、アスペクト比の高い微細パターンを形成する際の現像後のパターンだおれを防止することを目的とするものである。【構成】 半導体基板上に放射線に感光してスルホン酸発生基を有するポリメタクリ酸誘導体から構成されたレジストを塗布する工程と、前記レジストを放射線で露光する工程と、前記レジストの酸の発生した領域に水を吸収させる工程と、水蒸気と金属アルコキシド蒸気を前記レジスト表面に接触させ前記レジストの露光部に選択的に金属酸化膜を形成する工程と前記金属酸化膜をマスクにして前記レジストをエッチングすることにより高精度の微細パターンを形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に放射線に感光して酸を発生するレジストを塗布する工程と、前記レジストを放射線で露光する工程と、前記レジストの酸の発生した領域に水を吸収させる工程と、水蒸気と金属アルコキシド蒸気を前記レジスト表面に接触させ前記レジストの露光部に選択的に金属酸化膜を形成する工程と、前記金属酸化膜をマスクにして前記レジストをエッチングする工程とを有する微細パターン形成方法であって、前記半導体基板上に塗布するレジストがメタクリル酸メチル誘導体と酸発生材を有することを特徴とする微細パターン形成方法。
IPC (5件)：
G03F 7/38 511
, G03F 7/38 512
, G03F 7/004 503
, G03F 7/038
, H01L 21/027
G03F 7/38 511
, G03F 7/38 512
, G03F 7/004 503
, G03F 7/038
, H01L 21/30 568
