特許
J-GLOBAL ID:200903088313990737

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 前田 弘 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-013780
公開番号(公開出願番号):特開平10-032307
出願日: 1997年01月28日
公開日(公表日): 1998年02月03日
要約:
【要約】【課題】 第1の半導体チップと第2の半導体チップとの接合部に加わるパッケージの硬化収縮力及び熱応力を低減して半導体装置の信頼性及び歩留まりを向上させる。【解決手段】 半導体装置は、第1のLSIを有する正方形の第1の半導体チップ10と、第2のLSIを有すると共に第1の半導体チップ10よりも小さいチップサイズを有し、第1の半導体チップ10にフェイスダウン方式で接続された正方形の第2の半導体チップ20と、第1の半導体チップ10及び第2の半導体チップ20を封止している正方形の樹脂パッケージ30とを備えている。第1の半導体チップ10の中心部と第2の半導体チップ20の中心部とは互いにオフセットしていると共に、第2の半導体チップ20の中心部と封止用樹脂30の中心部とはほぼ一致している。
請求項(抜粋):
第1のLSIを有する第1の半導体チップと、第2のLSIを有すると共に前記第1の半導体チップよりも小さいチップサイズを有し、前記第1の半導体チップにフェイスダウン方式で接続された第2の半導体チップと、前記第1の半導体チップ及び第2の半導体チップを封止しているパッケージとを備えており、前記第2の半導体チップの互いに隣接する2側辺のうち同じ長さ又は短い方の長さを持つ第1の側辺が延びる第1の方向において、前記第1の半導体チップの中心部と前記第2の半導体チップの中心部とは互いにオフセットしていると共に前記第2の半導体チップの中心部と前記パッケージの中心部とはほぼ一致していることを特徴とする半導体装置。
IPC (7件):
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/50 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/66
FI (5件):
H01L 25/08 B ,  H01L 21/50 A ,  H01L 21/60 301 B ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/66 E
引用特許:
出願人引用 (3件)

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