特許

J-GLOBAL ID：200903088320082706

半導体基板の製造方法

発明者： 山内 庄一 ,  松井 正樹 ,  大島 久純
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-031037
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233449
出願日： 1998年02月13日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】 ベース基板上にこれと電気的に絶縁した状態の半導体層を設けて成る半導体基板を製造するに当たって、その半導体層の膜厚均一性を高めること、並びに製造に要する時間を短縮すること。【解決手段】 (a)汚染保護膜2を成膜した単結晶シリコン基板1にフッ素イオンを注入して結晶欠陥領域3を形成する第1のイオン注入工程、(b)単結晶シリコン基板1に対し水素イオンを注入して、結晶欠陥領域3中に剥離用元素分布層4を形成する第2のイオン注入工程、(c)(d)単結晶シリコン基板1及びベース基板5の表面に親水化処理を施した後に両基板1及び5を親水化処理面で貼り合わせる貼り合わせ工程、(e)熱処理により単結晶シリコン基板1を剥離用元素分布層4部分で剥離して単結晶シリコン薄膜7を形成する剥離工程、(f)単結晶シリコン薄膜7の剥離面の面粗度を向上させる平坦化工程を行い、SOI基板8を完成させる。

請求項（抜粋）：

ベース基板(5)上に、当該ベース基板(5)と電気的に絶縁した状態で素子形成用の半導体層(7)を設けて成る半導体基板(8、16)の製造方法において、前記半導体層(7)を形成するための半導体基板材料(1)の表面から重量が比較的大きいイオンを注入することにより、所定深さ範囲に分布した結晶欠陥領域(3、12)を形成する第1のイオン注入工程と、この第1のイオン注入工程の実行後若しくは実行前に、前記半導体基板材料(1)の表面から第1のイオン注入工程とは異なるイオンを注入することにより、前記結晶欠陥領域(3、12)に剥離用元素分布層(4)を形成する第2のイオン注入工程と、前記ベース基板(5)と前記半導体基板材料(1)とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、熱処理を行うことによって前記半導体基板材料(1)を前記剥離用元素分布層(4)部分で剥離して前記半導体層(7)を形成する剥離工程とを実行することを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/762 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/265 Q ,  H01L 27/12 B ,  H01L 21/76 D