特許

J-GLOBAL ID：200903088322933576

レーザ光によるSi含有セラミックスの接合方法

発明者： 堀内 雄史 ,  松尾 秀逸
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 木下 茂 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-347791
公開番号（公開出願番号）：特開平7-187836
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月25日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、短時間の処理で被接合物であるセラミックス本来の物性を損うことなく、十分な接合強度を有し、半導体製造工程に何ら支障のきたすことのないセラミックス接合方法の提供を目的としている。【構成】本発明は、遊離Siを含有するセラミックス材料同士の接合部に、Si粉末またはSi薄膜を介在させ、この接合部にレーザ光を照射することにより接合部を局所過熱し、介在せたSi及びセラミックス材料中の接合部近辺に存在するSiを溶融・流動化させて接合部に充填するとともに、Siの相互移動により接合部を得るようにしたことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

遊離Siを含有するセラミックス材料同士の接合部に、Si粉末またはSi薄膜を介在させ、この接合部にレーザ光を照射することにより接合部を局所過熱し、介在せたSi及びセラミックス材料中の接合部近辺に存在するSiを溶融・流動化させて接合部に充填するとともに、Siの相互移動により接合部を得るようにしたことを特徴とするレーザ光によるSi含有セラミックスの接合方法。