特許
J-GLOBAL ID:200903088324598960
半導体基板用洗浄液
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
久保山 隆
, 中山 亨
, 榎本 雅之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-053332
公開番号(公開出願番号):特開2005-060660
出願日: 2004年02月27日
公開日(公表日): 2005年03月10日
要約:
【課題】 CMPプロセス後の半導体基板上の粒子状異物やイオン状異物に対する優れた洗浄性を有し、かつ温度に対する安定性にも優れた半導体基板用洗浄液を提供する。【解決手段】 一般式(1)R-(CH2)l-O-(CmH2mO)n-X (1)(式中Rは炭素数1〜10のアルキル基、炭素数6〜10のアリール基、炭素数2〜10のアルキニル基又は炭素数2〜10のアルケニル基を表し、l、m及びnは、それぞれ独立に、正の数を表わし、Xは、水素原子を表わすか、炭素数1〜4のアルキル基を表わす)で示される非イオン界面活性剤と、キレート剤と、キレート促進剤及びアニオン系界面活性剤とを含有してなることを特徴とする半導体基板用洗浄液。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
一般式(1)
R-(CH2)l-O-(CmH2mO)n-X (1)
(式中Rは炭素数1〜10のアルキル基、炭素数6〜10のアリール基、炭素数2〜10のアルキニル基又は炭素数2〜10のアルケニル基を表し、l、m及びnは、それぞれ独立に、正の数を表わし、Xは、水素原子を表わすか、炭素数1〜4のアルキル基を表わす)
で示される非イオン界面活性剤と、キレート剤と、キレート促進剤及びアニオン系界面活性剤とを含有してなることを特徴とする半導体基板用洗浄液。
IPC (7件):
C11D10/02
, C11D1/72
, C11D1/83
, C11D3/20
, C11D3/33
, C11D17/08
, H01L21/304
FI (8件):
C11D10/02
, C11D1/72
, C11D1/83
, C11D3/20
, C11D3/33
, C11D17/08
, H01L21/304 622Q
, H01L21/304 647B
Fターム (12件):
4H003AB18
, 4H003AC08
, 4H003AC23
, 4H003BA12
, 4H003DA15
, 4H003EA05
, 4H003EA16
, 4H003EA23
, 4H003EB07
, 4H003EB24
, 4H003ED02
, 4H003FA21
引用特許:
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