特許

J-GLOBAL ID：200903088332915258

半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者： 大塚 信之 ,  鬼頭 雅弘 ,  松井 康
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-256734
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102597
出願日： 1991年10月03日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 安定した単一モード発振が得られ、かつ高光出力の得られる半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。【構成】 n-InP基板1上に、グレーティングの振幅が漸減する領域3を含む分布帰還型グレーティング2を形成する。その後、InGaAsP(λ=1.3μm)導波路層5を形成することでグレーティングの存在しない平坦面4が形成される。さらにInGaAsP(λ=1.55μm)活性層6,p-n-pInP埋め込み層7,p-InGaAsP(λ=1.3 μm)キャップ層8を形成し、蒸着によりAu/Znのp側電極9,As-Snのn側電極10を作製する。最後に多層反射膜11,無反射膜12を堆積しレーザを得る。

請求項（抜粋）：

半導体単結晶基板上に形成した活性層および導波路層からなり反射端面および出射端面を有するレーザ共振器を備えた半導体レーザ装置であって、前記レーザ共振器の反射端面およびその近傍を除く前記導波路層表面に回折格子を設けた半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-219684
  
• 特開昭61-287187
  
• 特表平4-505687
  
• 特開平2-280394