特許
J-GLOBAL ID：200903088335645855
絶縁ゲイト型電界効果半導体装置およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-135569
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053509
出願日： 1991年05月11日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 絶縁ゲイト型電界効果半導体装置の新規な構造と簡単な製造プロセスを提供する。【構成】 TFTの構造において、ゲイト電極8の周囲にはゲイト電極を構成する材料の陽極酸化膜10が設けられ、ソース、ドレイン領域3に接続する電極7は前記ソース、ドレイン領域の上面と側面に接しており、前記ソース、ドレインに接続された電極は前記ゲイト電極の周囲に設けられた前記酸化膜の上方にまでわたって延在している構造を持ち、その作製工程においては2枚のマスクで完成できる絶縁ゲイト型電界効果半導体装置およびその作製方法。
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた絶縁ゲイト型電界効果半導体装置であって、ゲイト電極の周囲にはゲイト電極を構成する材料の絶縁膜が設けられ、ソース、ドレイン領域に接続する電極は前記ソース、ドレイン領域の上面と側面とに接しており、前記ソース、ドレインに接続された電極は前記ゲイト電極の周囲に設けられた前記絶縁膜にまでわたって延在していることを特徴とする絶縁ゲイト型電界効果半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
, H01L 21/336
H01L 29/78 311 S
, H01L 29/78 311 P
