特許
J-GLOBAL ID：200903088336971683
基板に埋込み金属を形成する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-016123
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084826
出願日： 1993年02月03日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、硬質保護耐熱金属でキャップした軟質低抵抗率金属を有する埋込み導線およびバイアを製造することである。【構成】 導電性バイアおよび線を3段階プロセスで形成する。まず、誘電体10のトレンチまたはバイア中に、軟質低抵抗率金属(12)を、誘電体(10)の上面より下の点まで付着する。次に、CVDタングステンなどの硬質金属(16)で低抵抗率金属(12)を被覆する。最後に、化学機械式研磨によって構造を平面化する。硬質金属(16)は、低抵抗率金属が粗い化学機械式研磨スラリに当たると通常発生するひっかき傷や腐食から低抵抗率金属を保護する働きをする。
請求項（抜粋）：
基板内のトレンチまたはホール中に、低抵抗率の軟質金属または合金を、前記軟質金属または合金が、前記トレンチまたはホール中に付着された、前記基板表面より下に位置する第1の部分と、前記基板の表面上に付着された第2の部分とに分離されるのに十分な温度で、着するステップと、前記軟質金属または合金の上に硬質金属または合金を付着するステップと、前記基板を研磨して、前記トレンチまたは前記ホール中に形成された線またはバイアを、それぞれ前記基板の前記表面に対して平面化するステップとを含む、基板に埋込み金属を形成する方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
, H01L 29/44
