特許

J-GLOBAL ID：200903088337794505

半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 大畑 豊治 ,  小川 正道 ,  根本 和彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-262259
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005984
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】 レーザ光を基板の主面に対して垂直な方向に取り出す面発光レーザにおいて、分布反射型多層膜を用いて低しきい値で且つ高出力化が可能な半導体レーザ及びその製造方法を提供する。【構成】 分布反射型多層膜2を有する化合物半導体基体1上に、少なくとも活性層5及びクラッド層4、6が形成され、少なくとも活性層5の側面8A及び8Bを{110}結晶面として構成する。

請求項（抜粋）：

分布反射型多層膜を有する化合物半導体基体上に、少なくとも活性層及びクラッド層が形成され、少なくとも上記活性層の側面が{110}結晶面より成ることを特徴とする半導体レーザ。