特許

J-GLOBAL ID：200903088339264830

多結晶Pチャンネル負荷装置を有するSRAMセル及び構成体

発明者： ツー シー. チャン ,  フランク アール. ブライアント ,  リサ ケイ. ジョーゲンソン
出願人/特許権者： エスジーエス-トムソン・マイクロエレクトロニクス・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 小橋 一男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-142859
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198774
出願日： 1992年06月03日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 集積回路の多結晶Pチャンネル負荷装置を有するSRAM構成体の製造方法及びその方法により製造された集積回路を提供する。【構成】 第1の実施形態によれば金属を含む層36を集積回路上に形成し、次いでパターン形成すると共にエッチングしてNチャンネル装置14の露出されたソース/ドレイン領域22及び第二ゲート電極30を被覆する共用コンタクト領域を画定する。一方、本発明の別の実施形態によれば、ドープしたポリシリコン層36とバリア層とを有する相互接続層を集積回路上に形成し、次いでパターン形成すると共にエッチングして、Nチャンネル装置14の露出されたソース/ドレイン領域22及び第二ゲート電極30を被覆する共用コンタクト領域を画定する。

請求項（抜粋）：

集積回路の多結晶Pチャンネル負荷装置を具備するSRAM構成体を製造する方法において、基板の一部の上にフィールド酸化膜領域を形成し、前記基板内にソース/ドレイン領域を持った前記基板上方に第一Nチャンネル電界効果装置の第一ゲート電極を形成すると共に前記フィールド酸化膜領域及び前記基板の一部の上方に第二Nチャンネル電界効果装置の第二ゲート電極を形成し、前記集積回路上に第一絶縁層を形成し、前記第一絶縁層をパターン形成すると共にエッチングして前記第一Nチャンネル電界効果装置のソース/ドレイン領域の一部と前記第二Nチャンネル電界効果装置の第二ゲート電極の一部を露出させ、前記集積回路上に金属を含む層を形成し、前記金属を含む層をパターニング及びエッチングして前記第一Nチャンネル電界効果装置の露出されたソース/ドレイン領域及び前記第二Nチャンネル電界効果装置の第二ゲート電極を被覆して共用コンタクト領域を画定し、前記集積回路上に第二絶縁層を形成し、前記第二絶縁層をパターン形成すると共にエッチングして前記金属を含有する層の一部を露出させ、前記集積回路上に第一導電層を形成し、前記第一導電層をパターン形成すると共にエッチングして第一Pチャンネル電界効果装置の第一ゲート電極及び第二Pチャンネル電界効果装置の第二ゲート電極を画定し、前記第一Pチャンネル電界効果装置の第一ゲート電極の一部及び前記第二ゲート電極の一部を露出する前記第二Pチャンネル電界効果装置の第二ゲート電極の一部の上にゲート酸化物層を形成し、前記集積回路上に第二導電層を形成し、前記第二導電層をパターン形成すると共にエッチングして前記第一導電層の露出部分の上方に配設して前記第一Pチャンネル電界効果装置の第一ゲート電極のソース/ドレイン及びチャンネル領域を画定する、上記各ステップを有することを特徴とする方法。