特許

J-GLOBAL ID：200903088343122780

化合物半導体素子及びその製造方法

発明者： 松山 隆之 ,  細川 忠昭 ,  飯田 清次 ,  田中 明
出願人/特許権者： 東芝ディスクリートテクノロジー株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-241937
公開番号（公開出願番号）：特開2008-066475
出願日： 2006年09月06日
公開日（公表日）： 2008年03月21日
要約：

【課題】デブリが低減された化合物半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】結晶基板と、化合物半導体の多層膜と、を有する積層体を備え、前記積層体の主面に対して略垂直であり、互いに対向する第1及び第2の側面は、へきかい面からなり、前記積層体の前記主面と前記第1及び第2の側面に対してそれぞれ垂直であり、互いに対向する第3の側面は、非へきかい面からなり、前記第3及び第4の側面には、前記主面からみた深さが位置により変化し、端部が前記第1及び第2の側面には達しない溝が設けられていることを特徴とする化合物半導体素子が提供される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

結晶基板と、化合物半導体の多層膜と、を有する積層体を備え、 前記積層体の主面に対して略垂直であり、互いに対向する第1及び第2の側面は、へきかい面からなり、 前記積層体の前記主面と前記第1及び第2の側面に対してそれぞれ垂直であり、互いに対向する第3の側面は、非へきかい面からなり、 前記第3及び第4の側面には、前記主面からみた深さが位置により変化し、端部が前記第1及び第2の側面には達しない溝が設けられていることを特徴とする化合物半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 21/301 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L21/78 L ,  H01L33/00 C ,  H01L21/78 B

Fターム (3件)：

5F041AA41 ,  5F041CA40 ,  5F041CA76

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-369408   出願人：日本電気株式会社