特許

J-GLOBAL ID：200903088343831439

MIS形電界効果トランジスタ

発明者： クライソン トロンナムチャイ
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-020904
公開番号（公開出願番号）：特開平7-231088
出願日： 1994年02月18日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：

【要約】【目的】ゲート絶縁膜に用いる絶縁材料を吟味して、ゲートの駆動能力を高めたMISFETを提供することにある。【構成】ゲート絶縁膜に、比誘電率εと破壊電界Eとの積εEが50MV/cmよりも大きい高誘電率材料よりなる膜、又は、高誘電率材料と膜厚100Å以下のSiO2とよりなる複合積層膜を用い、チャネルが形成されるSi基板面の面方位を(110)とし、かつ、チャネル内を電界によって移動するキャリヤは正孔となるようにした。高誘電率材料にはTa2O5又は(Ba1-xSrx)TiO3又はPbZr1-xTixO3を用いる。

請求項（抜粋）：

Si基板表面上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を配設し、このゲート電極に電圧を印加することによって、ゲート絶縁膜の下のSi基板面にチャネルが誘起され、チャネルを隔てて対向するソース、ドレイン両電極間に電流が流れ制御されるMIS形電界効果トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜に、比誘電率εと破壊電界Eとの積εEが50MV/cmよりも大きい高誘電率材料よりなる膜を用い、且つ、チャネルが形成されるSi基板面の面方位が(110)であって、チャネル内を電界によって移動するキャリヤは正孔となるように構成したことを特徴とするMIS形電界効果トランジスタ。