特許
J-GLOBAL ID:200903088344524700
金属層堆積方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
頓宮 孝一 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-102200
公開番号(公開出願番号):特開平6-140359
出願日: 1992年03月26日
公開日(公表日): 1994年05月20日
要約:
【要約】【目的】高いアスペクト比開口が、低い容積抵抗率、低い不純物濃度及び規則性が高い結晶を呈する導電性フイルムによつて被覆されるようなスパツタリング堆積を提案する。【構成】コリメータが開口のアスペクト比に近いアスペクト比をもつように用いられる。開口の底部における結果フイルムの厚さは従来のスパツタリング方法を用いて得られる場合の少なくとも2倍である。開口の底部に堆積された材料の量は堆積処理の間の基板温度を上昇させることにより(例えば 450〔°C〕)さらに増強され得る。
請求項(抜粋):
堆積源から集積回路基板に耐火物金属を堆積する方法において、上記堆積源及び基板はコリメータによつて分離されており、上記基板はほぼ1:1又はそれ以上のアスペクト比を有する少なくとも1つのくぼみを含む表面形状を有し、堆積処理の間ほぼ 150〔°C〕以上に基板を加熱することにより上記くぼみの底面に堆積される上記耐火物金属フイルムの厚さを増大させるステツプを具えることを特徴とする金属層堆積方法。
IPC (2件):
引用特許:
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