特許

J-GLOBAL ID：200903088345495843

電流狭窄型発光ダイオードの製造方法

発明者： 曽根 豪紀
出願人/特許権者： 大同特殊鋼株式会社
代理人 (1件)： 池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-049178
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251627
出願日： 1998年03月02日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】高い発光効率が得られ且つ結晶性が優れた電流狭窄型発光ダイオードを効率良く製造する方法を提供する。【解決手段】結晶成長工程において、積層方向の中間部に位置してその上下方向に連続する同じ導電型の第一キャップ層84および第二キャップ層80よりも不純物の拡散速度が高い横拡散層82を含む複数の半導体層を順次結晶成長させることにより、複数の区画100を備えたエピタキシャル・ウェハ88が作製され、拡散溝形成工程において、横拡散層82の端面をそれら複数の区画100の各々毎に露出させるための数 (μm)程度の深さの拡散溝94がそのエピタキシャル・ウェハ88の上面68に設けられ、不純物拡散工程において、その上面68側からZnを拡散させることにより、拡散溝94内に露出させられた端面から拡散させられたZnによって導電型が反転させられた電流阻止部86が横拡散層82内に形成される。

請求項（抜粋）：

発光層を含む複数の半導体層が積層された素子構造部を備え、通電領域を制限されることにより該発光層の一部に設けられた発光領域で発生した光を、該素子構造部の表面または裏面側の光取出面において該発光領域上に設けられた光取出部から射出させる形式の電流狭窄型発光ダイオードの製造方法であって、積層方向の中間部に位置してその上下方向の少なくとも一方に連続する同じ導電型の各層よりも所定の不純物の拡散速度が高い電流狭窄層を含み且つ前記発光層を挟んで導電型が異なるように、前記複数の半導体層を所定の基板上に順次結晶成長させて積層することにより、前記素子構造部にそれぞれ対応する複数の区画を備えたエピタキシャル・ウェハを作製する結晶成長工程と、前記電流狭窄層の端面を前記複数の区画の各々毎に露出させるための所定深さの拡散用凹所を、前記エピタキシャル・ウェハの前記上下方向の一方側に位置する一面に設ける拡散用凹所形成工程と、前記一面側から前記所定の不純物を拡散させることにより、前記拡散用凹所内に露出させられた端面から拡散させられた該所定の不純物によって導電型を反転させられた電流阻止部を前記電流狭窄層内に形成する不純物拡散工程とを、含むことを特徴とする電流狭窄型発光ダイオードの製造方法。