特許
J-GLOBAL ID：200903088348263129
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-033650
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252146
出願日： 1993年02月23日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】配線抵抗を下げ、ボンディング性を向上させ、さらにはエレクトロマイグレーション及びストレスマイグレーション耐性を向上させた、より信頼性の高い半導体装置を提供する。【構成】配線材料として、タングステンを主成分としたタングステン-アルミニウム合金、またはタングステン-シリコン合金、またはタングステン-シリコン-アルミニウム合金や、さらに銅を主成分とした銅-アルミニウム合金、または銅-シリコン合金、または銅-シリコン-アルミニウム合金を用いる。Si基板101に酸化膜の二酸化珪素(SiO2)102を形成し、フォトエッチングによりコンタクト開孔部を設ける。次にスパッタにより全面にチタンタングステン(TiW)103を形成し、その上層にタングステン(W)-1%アルミニウム(Al)合金膜等104を形成し、フォトエッチングによりパターンを形成する。
請求項（抜粋）：
タングステン(W)を主成分とするタングステン(W)-アルミニウム(Al)合金、またはタングステン(W)-シリコン(Si)合金、またはタングステン(W)-シリコン(Si)-アルミニウム(Al)合金から選択される1合金を材料として、配線層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28 301
