半導体結晶の製造方法およびこれを利用する製造装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：村瀬一美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-304642
公開番号（公開出願番号）：特開2001-122692
出願日： 1999年10月26日
公開日（公表日）： 2001年05月08日
要約：

【要約】【課題】サセプタ表面のエッチング作用による不純物放出やコーティング膜の劣化を防止すると共に単結晶基板の結晶湾曲を改善する。【解決手段】誘導加熱手段2と、該誘導加熱手段2により誘導加熱される固体輻射部材3と、該固体輻射部材3により加熱されると共に反応ガス6が供給されて表面5に単結晶膜が製造される単結晶基板4とを備える半導体結晶の製造装置1において、固体輻射部材3に対し間隔をあけて設置されると共に、単結晶基板4が固体輻射部材3からの固体輻射熱により加熱されるように単結晶基板4を固体輻射部材3に対し間隔をあけて支持する基板支持手段7を備える。

請求項（抜粋）：

誘導加熱手段により固体輻射部材を誘導加熱して、前記固体輻射部材に対し間隔をあけて設置される基板支持手段によって前記固体輻射部材に対し間隔をあけて支持される単結晶基板を前記固体輻射部材からの固体輻射熱により加熱すると共に、前記単結晶基板の表面に反応ガスを供給することによって、前記単結晶基板の表面に前記反応ガスの成分元素あるいは化合物を連続して析出成長させ単結晶膜を製造することを特徴とする半導体結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 25/10 , C30B 25/12 , C30B 29/36 , H01L 21/205

FI (4件)：

C30B 25/10 , C30B 25/12 , C30B 29/36 A , H01L 21/205

Fターム (28件)：

4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077DB01 , 4G077EG03 , 4G077EG16 , 4G077TE02 , 4G077TF05 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AD18 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AF02 , 5F045BB12 , 5F045BB14 , 5F045DP16 , 5F045DQ04 , 5F045EB02 , 5F045EB03 , 5F045EB08 , 5F045EC02 , 5F045EC05 , 5F045EK02 , 5F045EK25 , 5F045EK30 , 5F045EM02 , 5F045EM09 , 5F045GB11

引用特許：

審査官引用 (1件)

特開平4-241415

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