特許
J-GLOBAL ID:200903088374752138
アクティブマトリックス基板およびその製造方法、並びに、液晶表示装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
青山 葆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-307927
公開番号(公開出願番号):特開2001-282139
出願日: 2000年10月06日
公開日(公表日): 2001年10月12日
要約:
【要約】【課題】 画素電極の製造プロセスを大幅に短縮する。【解決手段】 画素電極22は、ゾルゲル材料を用いてスピンコート法やディップ法で塗布することによって真空成膜装置を用いずに形成でき、製造プロセスを短縮できる。その際に、走査電極23,信号配線およびTFT24の形成前に形成することによって、電極配線やTFT24の耐熱温度が350°C程度であっても熱的ダメージを与えることはない。さらに、感光性を有するゾルゲル材料を用いることによって、パターニングの際に、フォトレジストパターニング工程およびエッチング工程を無くしてプロセスを短縮できる。こうして、製造装置に拘わる設備投資を削減すると共に、アクティブマトリックス基板自身の低価格化も実現できる。
請求項(抜粋):
絶縁基板上に、格子状に配列された電極配線と、上記電極配線における各格子点毎に設けられた複数のアクティブ素子と、上記アクティブ素子を介して上記電極配線に接続された複数の画素電極を有するアクティブマトリックス基板において、上記画素電極は、ゾルゲル材料を用いて成膜された透明導電酸化膜であることを特徴とするアクティブマトリックス基板。
IPC (7件):
G09F 9/30 338
, G09F 9/30 330
, G02F 1/1343
, G02F 1/1368
, H01L 21/283
, H01L 29/786
, H01L 21/336
FI (6件):
G09F 9/30 338
, G09F 9/30 330 Z
, G02F 1/1343
, H01L 21/283 A
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 612 Z
Fターム (66件):
2H092HA03
, 2H092HA04
, 2H092JA26
, 2H092JA33
, 2H092JA35
, 2H092JA39
, 2H092KA12
, 2H092KA18
, 2H092KB24
, 2H092MA05
, 2H092MA08
, 2H092MA10
, 2H092MA13
, 2H092MA17
, 2H092MA37
, 2H092NA27
, 4M104AA09
, 4M104BB36
, 4M104DD51
, 4M104DD64
, 4M104DD78
, 4M104GG09
, 5C094AA42
, 5C094AA43
, 5C094BA02
, 5C094BA27
, 5C094BA43
, 5C094BA52
, 5C094CA19
, 5C094EA04
, 5C094FB12
, 5C094GB01
, 5F110AA16
, 5F110AA17
, 5F110BB01
, 5F110BB10
, 5F110CC07
, 5F110DD02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE44
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF30
, 5F110GG02
, 5F110GG15
, 5F110GG25
, 5F110GG33
, 5F110GG35
, 5F110GG45
, 5F110GG55
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK09
, 5F110HK16
, 5F110HK21
, 5F110HK25
, 5F110HK33
, 5F110HK35
, 5F110NN02
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN35
, 5F110NN72
, 5F110QQ09
, 5F110QQ30
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