半導体発光装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-052799
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259566
出願日： 1992年03月11日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】 AlGaInP系材料を活性層成分として用いる、たとえば波長600nm帯の赤色発光レーザ等の半導体発光装置に関し、結晶性に優れたn型層へのドーピング方法を開発し、高品位の光学的スラブ導波路構造を内蔵する半導体発光装置を提供することを目的とする。【構成】順メサストライプまたは逆メサストライプのメサ構造を有し、主面がほぼ(100)面であるGaAs基板上の当該メサ構造上に(Alx Ga1-x )y In1-y Pからなる活性層および活性層を挟み、(Alu Ga1-u )v In1-v Pからなるクラッド層を含むダブルヘテロ構造の積層領域を設け、当該積層領域の平坦部に選択的に通電して発光せしめる構造の半導体発光装置において、前記メサ構造の斜面が、(100)面から(111)B面方向へ傾斜したB面の斜面からなり、当該斜面を埋める如くしてその上に堆積する複数層のうちあるn型層のドーパントをSiとして構成した。

請求項（抜粋）：

順メサストライプまたは順方向溝ストライプのメサ構造を有し、主面がほぼ(100)面であるGaAs基板(11)上の当該メサ構造上に(Alx Ga1-x )y In1-y Pからなる活性層(16)および活性層を挟み、(Alu Ga1-u )v In1-v Pからなるクラッド層(15)、(17)を含むダブルヘテロ構造の積層領域を設け、当該積層領域の平坦部に選択的に通電して発光せしめる構造の半導体発光装置において、前記メサ構造の斜面が、(100)面から(111)B面方向へ傾斜したB面の斜面からなり、当該斜面を埋める如くしてその上に堆積する複数層のうちあるn型層のドーパントをSiとして構成した半導体発光装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭62-106281
特開昭60-036941

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