特許

J-GLOBAL ID：200903088376148696

半導体素子の製造方法

発明者： 中村 光利
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-017032
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213334
出願日： 1995年02月03日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】 n型不純物、p型不純物に関わらず、高濃度領域を含めた広範囲な不純物濃度範囲において、時間刻みを長くして高速に行っても、正確な解を得る事のできるシミュレーションを用いた、高精度な半導体素子の製造方法を提供する。【構成】 半導体素子を製造するに先立ち、まず不純物の拡散現象を記述する非線形偏微分方程式中の非拡散項に含まれる電界強度をキャリア濃度の関数で近似し、このキャリア濃度の空間微分を不純物濃度の空間微分で表した式を用いて、非線形偏微分方程式を離散化する事によって連立一次方程式の係数行列と定数項を作成し、作成された前記連立一次方程式を解き、不純物濃度プロファイルを想定し、これを用いたプロセス設計を用いて、半導体への拡散工程を実行する。

請求項（抜粋）：

指定された熱処理温度における半導体中への不純物(j)の拡散現象を記述した微分方程式中の電界強度を該半導体中のキャリア濃度nの関数で近似し、該キャリア濃度の空間微分(∇n)を該半導体中の不純物(j)の濃度(以下不純物濃度Cj という)の空間微分(∇Cj )で表した式を用いて該微分方程式を離散化し、連立一次方程式の係数行列と定数項を作成し、該連立一次方程式を解く事を所定の時間刻みで、指定された熱処理時間に達するまで繰り返すことによって予め、該不純物濃度プロファイルを求め、その結果が所望の不純物濃度プロファイルと一致するか否か比較し、一致すれば、指定された熱処理時間、および熱処理温度で該半導体中への不純物の拡散を行うことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/22 ,  G06F 17/00