研磨用組成物

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-345493
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151927
出願日： 2001年11月12日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのCMP加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたCMP加工用の研磨用組成物を提供する。【解決手段】 (A)研磨材、(B)ピリジンカルボン酸、(C)有機酸、(D)過酸化水素、および(D)水からなり、研磨材が平均粒径5〜100nmの範囲にある有機高分子化合物からなる組成物であって研磨材の研磨用組成物中の濃度が1〜30重量%である研磨用組成物である。

請求項（抜粋）：

(A)研磨材、(B)式(1)であらわされるピリジンカルボン酸、(C)有機酸、(D)過酸化水素、及び(E)水を含む研磨用組成物であり、(A)研磨材が、平均粒径5〜100nmの範囲にある有機高分子化合物であり、研磨材の研磨用組成物中の濃度が1〜30重量%であり、(B)ピリジンカルボン酸の研磨用組成物中の濃度が0.01〜5重量%であり、(C)有機酸がクエン酸、酒石酸、リンゴ酸の中から選択された少なくとも一種以上の酸であり、研磨用組成物中の濃度が0.01〜5重量%であり、(D)過酸化水素の研磨用組成物中の濃度が0.03〜5重量%であることを特徴とする研磨用組成物。【化1】

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 , B24B 37/00 , C09K 3/14 550 , C09K 3/14

FI (4件)：

H01L 21/304 622 D , B24B 37/00 H , C09K 3/14 550 C , C09K 3/14 550 Z

Fターム (5件)：

3C058AA07 , 3C058AC04 , 3C058CB01 , 3C058CB03 , 3C058DA17

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