半導体記憶装置の読み出し回路

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-289464
公開番号（公開出願番号）：特開平10-134581
出願日： 1996年10月31日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】イコライズ手段を駆動する信号に同期して出力データの電位変動の保障を行っていたので、イコライズ手段を備えたセンスアンプにしか適用できなかった。【解決手段】スイッチ回路13およびラッチ回路16からなる保障回路を備えた読み出し回路において、センスアンプ11の出力データの遷移を直接検出するデータ遷移検出回路17を設け、このデータ遷移検出回路17の検出出力に基づいてスイッチ回路13のオン/オフ制御を行うとともに、スイッチ回路13のオフ期間中はその直前にラッチ回路16に保持したデータを転送する。

請求項（抜粋）：

メモリセルから読み出される微小信号電圧を検出して増幅するセンスアンプと、前記センスアンプの出力データの遷移を検出し、その検出時に一定時間だけ検出出力を発生するデータ遷移検出回路と、前記センスアンプと後段の出力回路との間に設けられ、前記データ遷移検出回路の検出出力の発生期間だけオフ状態となって前記センスアンプと後段の出力回路とを切り離すスイッチ回路と、前記スイッチ回路がオフ状態となる直前の前記センスアンプの出力データを保持するラッチ回路とを備えたことを特徴とする半導体記憶装置の読み出し回路。

IPC (2件)：

G11C 11/417 , G11C 11/409

FI (2件)：

G11C 11/34 305 , G11C 11/34 354 Q

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