特許

J-GLOBAL ID：200903088382191447

半導体光増幅素子

発明者： 鈴木 信夫 ,  遠山 政樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-271201
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097593
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】本発明は、広い波長範囲にわたって利得が大きい半導体光増幅素子を提供することを目的とする。【構成】n型InP基板10上に形成された歪量子井戸構造の活性層16と、この活性層16に電流を注入するためのp側電極20,n側電極21と、活性層16に入力された光を導き増幅するための活性層ストライプ14と、活性層16で増幅された光を取り出すための出射面11とを備え、活性層16のIn<SB>0.7 </SB>Ga<SB>0.3 </SB>As井戸層22の合計層厚をd[nm]、活性層16のストライプ幅をW[μm]とした場合、(d-7)W<12,(d-40)<SP>2 </SP>/1000+(W-1.0)<SP>2 </SP>/0.8<1の関係を満たすことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された歪量子井戸構造の活性層と、この活性層に電流を注入する手段と、前記活性層に光を導入するための手段と、前記活性層で増幅された前記光を取り出すための手段とを具備してなり、前記活性層の井戸層の合計層厚をd[nm]、前記活性層のストライプ幅をW[μm]とした場合に、前記井戸層の合計層厚及び前記ストライプ幅が、(d-7)W≦12,(d-40)2 /1000+(W-1.0)2 /0.8≦1の2つの不等式を満たすことを特徴とする半導体光増幅素子。