半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田治米登 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-098282
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284592
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】配線間にスペースギャップを有する半導体装置を製造する際に、スペースギャップ(空間)の容積と形状とを高い制御性で形成できるようにする。【解決手段】配線ベース1上に形成された配線2の間隙2aに蒸発性材料3を装填し、その上に絶縁膜4を形成し、その後で絶縁膜4の下の蒸発性材料3を除去することにより配線2間にスペースギャップ5を形成する。

請求項（抜粋）：

配線ベース上に形成された配線の間隙に蒸発性材料を装填し、その上に絶縁膜を形成し、その後で絶縁膜の下の蒸発性材料を除去することにより配線間にスペースギャップを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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