半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-087943
公開番号（公開出願番号）：特開平10-283790
出願日： 1997年04月07日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】電源電圧よりも高い電圧が印加される内部回路への、高電圧の印加を制御する占有面積の小さい半導体装置を提供すること。【解決手段】一導電型の半導体基板と、この半導体基板に形成された第二導電型の第1の領域201と、前記第1の領域とは独立して形成された前記第二導電型の第2の領域202と、前記第1の領域内に形成された前記一導電型の第3の領域2031及び前記第3の領域とは独立して前記第1の領域内に形成された前記一導電型の第4の領域2032とを供える第1のトランジスタ110であって、前記第1の領域をバックゲートとする第1のトランジスタと、前記第2の領域内に形成された前記一導電型の第5の領域2051及び前記第5の領域とは独立して前記第2の領域内に形成された前記一導電型の第6の領域2052とを備える第2のトランジスタであって、前記第2の領域をバックゲートとする第2のトランジスタとを供え、前記第1の領域には前記第2の領域に印加される電源電圧VDDよりも高いバックゲートバイアス電圧VPMが印加されて構成されている。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板と、この半導体基板に形成された第二導電型の第1の領域と、前記第1の領域とは独立して形成された前記第二導電型の第2の領域と、前記第1の領域内に形成された前記一導電型の第3の領域及び前記第3の領域とは独立して前記第1の領域内に形成された前記一導電型の第4の領域とを供える第1のトランジスタであって、前記第1の領域をバックゲートとする第1のトランジスタと、前記第2の領域内に形成された前記一導電型の第5の領域及び前記第5の領域とは独立して前記第2の領域内に形成された前記一導電型の第6の領域とを備える第2のトランジスタであって、前記第2の領域をバックゲートとする第2のトランジスタとを供え、前記第1の領域には前記第2の領域に印加される電源電圧よりも高いバックゲートバイアス電圧が印加されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

G11C 16/06 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H02M 3/07

FI (5件)：

G11C 17/00 633 A , H02M 3/07 , G11C 17/00 632 A , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

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