特許

J-GLOBAL ID：200903088388787902

半導体レーザ素子

発明者： 河合 孝博
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-079764
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275239
出願日： 1996年04月02日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】【課題】 高出力動作時に端面劣化が無く長期安定動作する半導体レーザ素子を歩留まり良く提供すること。【解決手段】 一対の共振器端面を有する半導体レーザ素子において、共振器端面に界面準位又は界面ダメージが小さい第1の誘電体単層膜18及び19を形成し、第1の誘電体単層膜上に化学的及び熱的に安定な第2の誘電体単層膜20又は誘電体多層膜21及び22を形成する。

請求項（抜粋）：

一対の共振器端面を有する半導体レーザ素子において、少なくとも一つの共振器端面に形成され界面準位又は界面ダメージが小さい第1の誘電体単層膜と、該第1の誘電体単層膜上に形成され化学的及び熱的に安定な第2の誘電体膜とを有することを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/133

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 B ,  H01S 3/133

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-253087
  
• 特開平3-119781
  
• 特開昭54-126488
  
• 特開昭62-238678