特許
J-GLOBAL ID：200903088391195560
イオンミリング法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-195695
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045288
出願日： 1992年07月23日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置や弾性表面波素子などの製造に利用されるイオンミリングに於いて、進行中の切削加工の被処理体をリアルタイムに検知しながら処理することにより、不要な過剰エッチングを避けること。【構成】 切削加工を受けている基板の表面近くの空間をレーザ光で照射し、切削処理により発生する微細飛沫に起因するラマン効果を分光観察することで、被切削層の処理が終了したことを知る。この情報に基づいてオーバーエッチング時間の設定などの制御を行う。
請求項（抜粋）：
イオン衝撃による切削加工が施されている面の近くの空間にレーザ光を投射し、切削面からのスパッタ飛沫を該レーザ光が照射することにより生ずるラマン散乱光のスペクトルを観測することによって被切削物質を検知しながら行うことを特徴とするイオンミリング法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, H01S 3/00
, H03H 3/08
