特許

J-GLOBAL ID：200903088413286115

半導体受光装置及びその製造方法

発明者： 山本 陽祐
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-359799
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175539
出願日： 1991年12月25日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 遮光マスクによる、受光部以外に入射する光の反射光をレーザ,光ファイバ等へ戻さない半導体受光装置を得ること。【構成】 遮光マスク30の表面に凹凸を設け、受光部以外に入射する光20を乱反射させるようにした。【効果】 遮光マスクによる反射光を抑え、光信号ノイズを防止することができる。

請求項（抜粋）：

第1導電型基板上に、第1導電型バッファ層,光吸収層,窓層を有し、さらに該窓層と光吸収層の一部を選択的に第2導電型に反転されてなる領域を有する半導体受光装置において、上記第1導電型窓層及び窓層の第2導電型領域の一部を覆うように形成された、開口部を有する誘電体膜と、上記誘電体膜上に形成され、上記窓層の第2導電型領域の一部に接する電極と、上記誘電体膜上に形成され、上記電極に対して絶縁された遮光用マスク層とを備え、上記遮光用マスク層は、その表面に凹凸を有することを特徴とする半導体受光装置。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/14

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-220782
  
• 特開平3-227073
  
• 特開昭63-211686