特許

J-GLOBAL ID：200903088414125476

シリコン単結晶の成長方法およびシリコン単結晶

発明者： 田原 史夫 ,  木村 雅規 ,  内川 啓 ,  池田 淳 ,  飯田 誠 ,  萩本 和徳
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-197610
公開番号（公開出願番号）：特開2002-020197
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月23日
要約：

【要約】【課題】 シリコン単結晶を高い成功率で無転位状態で融液から切り離す方シリコン単結晶の成長方法を提供する。【解決手段】 シリコン単結晶の定径部の成長が終了した後、種結晶の回転速度を0〜8rpmとして、単結晶を無転位状態で融液から切り離すシリコン単結晶の成長方法。

請求項（抜粋）：

原料を充填する坩堝と、該坩堝を加熱するヒータと、坩堝内の融液に種結晶を接触させて単結晶を成長させる引き上げ手段と、前記各部材を収容する金属チャンバーとを具備するシリコン単結晶製造装置を使用するチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の成長方法において、前記単結晶の定径部の成長が終了した後、少なくとも前記融液から前記単結晶を切り離す際に種結晶の回転速度を0〜8rpmとした後、前記融液から前記単結晶を無転位状態で切り離すことを特徴とするシリコン単結晶の成長方法。

IPC (2件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06

FI (2件)：

C30B 29/06 502 J ,  C30B 29/06 502 Z

Fターム (6件)：

4G077AA02 ,  4G077BB03 ,  4G077CF10 ,  4G077EH08 ,  4G077EH09 ,  4G077HA12