特許
J-GLOBAL ID:200903088418911166
化学機械研磨材スラリー及びその使用方法
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (8件):
特許業務法人アルガ特許事務所
, 有賀 三幸
, 高野 登志雄
, 中嶋 俊夫
, 浅野 康隆
, 的場 ひろみ
, 村田 正樹
, 山本 博人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-104351
公開番号(公開出願番号):特開2005-159269
出願日: 2004年03月31日
公開日(公表日): 2005年06月16日
要約:
【課題】研磨材粒子の沈殿を防ぎ、TaNに対する金属層への選択率を高め、銅のディッシングを防ぐ。【解決手段】スラリーは、アルミナで被覆されたSiO2、ZrO2、e02,SiC、Fe2O2,TiO2,Si3N4,及びそれらの混合物からなる群から選択された基体粒子からなる複合研磨材粒子を含有する。更に、半導体ウェーハ表面の研磨において前記スラリーを使用する化学機械研磨方法に関する。【選択図】なし
請求項(抜粋):
アルミナで被覆された基体粒子からなる複合研磨材粒子を含むことを特徴とする、化学機械研磨材スラリー。
IPC (3件):
H01L21/304
, B24B37/00
, C09K3/14
FI (4件):
H01L21/304 622D
, B24B37/00 H
, C09K3/14 550D
, C09K3/14 550Z
Fターム (7件):
3C058AA07
, 3C058CB01
, 3C058CB02
, 3C058CB04
, 3C058DA02
, 3C058DA12
, 3C058DA17
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