特許
J-GLOBAL ID:200903088419120855
溶接残留応力の低減方法とその装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高橋 昌久 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-336750
公開番号(公開出願番号):特開2001-150178
出願日: 1999年11月26日
公開日(公表日): 2001年06月05日
要約:
【要約】【課題】 配管等の中空体の溶接部近傍の残留応力を低減するために、配管全周にわたる加熱を簡単な装置構成で均一且つ急速に行う事の出来る発明の提供。【解決手段】 中空体内面側の引張り残留応力を低減させる場合は、中空体外周側にリング円状のアーク発生リングを配置し、該リングを挟むようにして磁場形成用の一対のリングコイルを配置してアークが円周方向に高速回転しながら環状溶接部外周側を均一に急速加熱させ、又中空体外面側の引張り残留応力を低減させる場合は、中空体内周側に円板状のアーク発生板を配置し、該発生板を挟むようにして磁場形成用の一対のリングコイルを配置してアークが円周方向に高速回転しながら環状溶接部内周側を均一に急速加熱させる構成である。
請求項(抜粋):
配管若しくは管状容器等の中空体の溶接部の残留応力低減方法において、磁界とアーク電流とにより中空体周方向に発生する運動エネルギを利用して、中空体の環状溶接部近傍と対面配置したアークを高速回転させ、前記環状溶接部近傍を一側から加熱して、中空体内面若しくは外面側の引張り残留応力を低減するのに必要な温度差を前記中空体内外周面間に発生させたことを事を特徴とする溶接残留応力の低減方法
IPC (7件):
B23K 31/00
, B23K 9/00 501
, C21D 9/08
, C21D 9/50 101
, C21D 9/50 102
, G21D 1/00
, B23K101:04
FI (8件):
B23K 31/00 F
, B23K 9/00 501 S
, C21D 9/08 F
, C21D 9/08 G
, C21D 9/50 101 A
, C21D 9/50 102 A
, B23K101:04
, G21D 1/00 X
Fターム (7件):
4E081YS01
, 4E081YX20
, 4K042AA24
, 4K042DB01
, 4K042DB03
, 4K042DF02
, 4K042EA03
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