特許
J-GLOBAL ID：200903088420026331
半導体装置およびその製造方法ならびに半導体製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-173391
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261116
出願日： 2001年06月08日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：
【要約】【課題】 フリップチップ金-金超音波接続における金バンプの搭載位置ずれを防止する。【解決手段】 主面1aに複数のパッドが形成された半導体チップ1と、半導体チップ1の前記パッドに接続される金バンプ2と、金バンプ2と接続する金層3eを表面に備えた配線3aが形成されるとともに、配線3aに金バンプ2を位置決めする凹部3cが設けられ、かつ半導体チップ1を金バンプ2を介して支持するビルドアップ基板3とからなり、金バンプ2の先端部2aが凹部3cの内壁3dによって位置決めされるとともに、金バンプ2の先端部2aと配線3aの凹部3cの底部3mおよび内壁3dとが接合してフリップチップ接続されることにより、金-金フリップチップ接続における金バンプ2の搭載位置ずれの防止と接続強度の増加とを図れる。
請求項（抜粋）：
フリップチップ接続された半導体チップを有する半導体装置であって、主面に複数の表面電極が形成された前記半導体チップと、前記半導体チップの前記表面電極に接続される突起電極である金バンプと、前記金バンプと接続する金層を表面に備えた配線が形成され、前記配線またはその周囲に前記金バンプをその両側で位置決めする壁部が設けられ、前記半導体チップの前記主面と対向して前記半導体チップを前記金バンプを介して支持するチップ支持基板とを有し、前記金バンプの先端部が前記壁部によって位置決めされて前記フリップチップ接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/60
, H01L 21/607
H01L 21/60 311 Q
, H01L 21/607 B
, H01L 21/92 602 G
5F044KK02
, 5F044KK17
, 5F044KK19
, 5F044LL00
