特許
J-GLOBAL ID:200903088423749016

位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および、装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 深見 久郎 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-373666
公開番号(公開出願番号):特開2003-173014
出願日: 2001年12月07日
公開日(公表日): 2003年06月20日
要約:
【要約】【課題】 製造プロセスの早い段階で位相シフト層に生じた欠陥の発見を可能とする、位相シフトマスクの製造方法、その位相シフトマスクの製造方法により製造された位相シフトマスク、および、その位相シフトマスクにより製造された装置を提供する。【解決手段】 透明基板1の上に位相シフト層2が形成される位相シフト層形成工程の後に、位相シフト層2の上の所定領域に遮光膜としてのCr膜6Aを形成する遮光膜形成工程が施される。
請求項(抜粋):
透明基板の表面が露出する光透過領域と、前記透明基板上に位相シフト層が設けられる位相シフタ領域と、前記位相シフト層上の所定領域に設けられ、前記位相シフト層への前記露光光の入射を遮る遮光膜が設けられる遮光領域とを備える、位相シフトマスクの製造方法であって、前記透明基板の上に位相シフト層が形成される位相シフト層形成工程の後に、前記位相シフト層の上の所定領域に遮光膜を形成する遮光膜形成工程を施す、位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2件):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (4件):
G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 G ,  G03F 1/08 L ,  H01L 21/30 502 P
Fターム (5件):
2H095BA01 ,  2H095BB03 ,  2H095BB26 ,  2H095BC05 ,  2H095BC08

前のページに戻る