半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中野雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-185426
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013456
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 Tゲート法に類似した手法でLDD構造の半導体装置の製造を可能にし、ゲート電極とソース・ドレイン領域の間の距離の選択できる範囲を大きくとることができるようにする。【構成】 GaAs基板1のn型活性層3の上に3層のダミーゲート4a,5a,6aを設け、基板1の表面に近いダミーゲートほど幅が狭くなるようにする。この3層のダミーゲート4a,5a,6aをマスクにして高濃度のn型イオン注入を行い、n+注入層8を形成する。ついで、最上層のダミーゲート6aを除去した後、2層のダミーゲート4a,5aをマスクとしてイオン注入を行い、n+注入層8よりもドーズ量の小さなn′層9を形成する。最後に、2層のダミーゲート4a,5aと同形状のショットキー電極13aを形成する。

請求項（抜粋）：

ソース及びドレイン領域とゲート電極の側壁部との間に、ソース及びドレイン領域よりも低不純物密度のイオン注入領域を設けたLDD構造の半導体装置の製造方法であって、半導体基板に近い側で各層のダミーゲートの幅が順次短くなるよう、半導体基板のチャネル領域の表面に3層のダミーゲートを積層し、前記3層のダミーゲートをマスクとしてチャネル領域の両側にイオン注入を行ってソース及びドレイン領域を形成した後、最上層のダミーゲートを除去された2層のダミーゲートをマスクとしてチャネル領域の両側にイオン注入を行い、前記低不純物密度のイオン注入領域を形成し、さらに、2層のダミーゲートと同一形状のゲート電極をチャネル領域の表面に設けることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 29/80 F , H01L 21/265 C

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