特許

J-GLOBAL ID：200903088427562123

トランス

発明者： 大坪 睦泰 ,  国谷 佳弘 ,  松村 勝己 ,  広岡 裕
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-129260
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321443
出願日： 1997年05月20日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 低背化を図るため、閉磁路磁芯の平板部の厚さを薄くしても、磁束の流れを妨げない、磁気飽和の発生を抑制したトランスを提供することを目的としている。【解決手段】 閉磁路磁芯18は、第1の貫通孔12および第2の貫通孔14に挿入する中足部19と、中足部19を支持する平板部20と、側足部21を有し、中足部19の断面形状を楕円形状にしたE型形状磁芯を2つ組み合わせるとともに、中足部19に対向する平板部20の中足対向部28の側面外周表面積30を中足部19の断面積以下にし、かつ平板部20の断面積の2倍以上にした構成である。

請求項（抜粋）：

端子を植設するとともに、第1の貫通孔を有した端子台と、前記端子台上に配置するとともに、第2の貫通孔を有した巻枠と、前記巻枠に巻回するとともに、前記端子と接続した第1の巻線と、前記第1の巻線の外側に巻回するとともに、前記端子と接続した第2の巻線と、前記第1の貫通孔および前記第2の貫通孔に挿入した閉磁路磁芯とを備え、前記閉磁路磁芯は、前記第1の貫通孔および前記第2の貫通孔に挿入する中足部と、前記中足部を支持する平板部とを有し、前記中足部の断面形状を楕円形状にするとともに、前記中足部に対向する前記平板部の中足対向部の側面外周表面積を前記中足部の断面積以下にし、かつ前記平板部の断面積の2倍以上にしたトランス。

IPC (3件)：

H01F 30/00 ,  H01F 17/06 ,  H01F 27/255

FI (4件)：

H01F 31/00 A ,  H01F 17/06 F ,  H01F 27/24 D ,  H01F 31/00 F