特許

J-GLOBAL ID：200903088428563433

半導体集積回路

発明者： 田中 正博
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴイエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-252365
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090489
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】半導体集積回路における容量素子に関し、微細化しても外乱に強くしかも付加容量が小さく精度が高い容量を形成することを目的とする。【構成】半導体基板1上に下部電極2を形成しその上方に形成した多角形状の上部電極4に形成してなる容量素子を備えた半導体集積回路において、前記多角形状の上部電極4の各辺4aに対して離間した対向位置に上部電極4と同一材質にて形成したシールド5をそれぞれ配置した。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1)上に下部電極(2)を形成しその上方に形成した多角形状の上部電極(4)に形成してなる容量素子を備えた半導体集積回路において、前記多角形状の上部電極(4)の各辺(4a)に対して離間した対向位置に上部電極(4)と同一材質にて形成したシールド(5)をそれぞれ配置したことをことを特徴とする半導体集積回路。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-138973
  
• 特開平2-069969
  
• 特開平3-218063
  
• 特開平3-227051