特許
J-GLOBAL ID：200903088430924524
パターン形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-250201
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074700
出願日： 1991年09月04日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】微細なパターニングにとって障害となる光の多重干渉を著しく低減し、製造の歩留まりの向上、および、より微細なパターンの形成に有効な方法を提供する。【構成】フォトリソグラフィによってパターンを形成するにあたり、フォトレジスト表面に反射防止膜を形成して露光を行う方法であり、反射防止膜材料として非晶質含フッ素重合体を採用する。
請求項（抜粋）：
フォトリソグラフィによってパターンを形成するにあたり、フォトレジスト表面に非晶質含フッ素重合体からなる反射防止膜を形成して露光を行うことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 7/004 506
, G03F 7/038 505
, G03F 7/11 501
