特許

J-GLOBAL ID：200903088437458910

半導体装置

発明者： 前田 徹
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立北海セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-031545
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223326
出願日： 2000年02月09日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】【課題】 チップ積層形の小形半導体装置においてワイヤショートを防止するとともに、さらに小形化・薄形化を図って高密度実装を実現する。【解決手段】 最下段の1stチップ1をフリップチップ接続によって支持するテープ基板3と、1stチップ1上に積層配置される2ndチップ2をフリップチップ接続によって支持する配線フィルム4と、配線フィルム4の接続電極4bとテープ基板3の接続電極3bとを接続するワイヤ9と、テープ基板3の裏面3dに配置される複数の半田バンプ11と、2つの半導体チップとワイヤ9などを樹脂封止する封止部10とからなり、積層配置された1stチップ1と2ndチップ2とがフェイスダウン実装されるとともに、フリップチップ接続とワイヤボンディングとを組み合わせたことにより、封止部10におけるワイヤ密度を少なくしてワイヤショートを防止する。

請求項（抜粋）：

複数の半導体チップが積層されて組み込まれた半導体装置であって、最下段に配置される半導体チップを突起電極を介してフリップチップ接続によって支持する共通配線基板と、前記最下段の半導体チップのフリップチップ接続が行われる主面と反対側の面に配置され、前記最下段の半導体チップと積層配置される上段の半導体チップを上段の突起電極を介してフリップチップ接続によって支持する上段配線基板と、前記上段の突起電極に配線を介して接続される前記上段配線基板の接続電極と、前記共通配線基板の接続電極とを接続するボンディング用のワイヤと、前記共通配線基板のチップ支持面と反対側の面に配置される複数の外部端子とを有し、積層配置された複数の前記半導体チップがそれぞれフェイスダウン実装されるとともに、前記上段の半導体チップの表面電極と前記共通配線基板の前記接続電極とがフリップチップ接続およびワイヤボンディングによって接続され、前記最下段の半導体チップが前記共通配線基板にフリップチップ接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 311

FI (3件)：

H01L 21/60 301 A ,  H01L 21/60 311 R ,  H01L 25/08 Z

Fターム (7件)：

5F044AA02 ,  5F044HH00 ,  5F044KK08 ,  5F044QQ07 ,  5F044RR02 ,  5F044RR03 ,  5F044RR08