特許
J-GLOBAL ID:200903088442700265

バイパス機能付太陽電池セルおよびバイパス機能付き多接合積層型太陽電池セルおよびそれらの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-285274
公開番号(公開出願番号):特開2001-189483
出願日: 2000年09月20日
公開日(公表日): 2001年07月10日
要約:
【要約】【課題】 低コストかつ容易な工程によって、バイパスダイオードの機能を付加したバイパス機能付太陽電池セルおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 このバイパス機能付太陽電池セルでは、第3の領域である複数の島状のp+型領域3は、基板10を構成するp型領域1とn型領域層2の境界に上記領域1と領域2に突出するように形成されていて、基板10の表面から離隔して形成されている。したがって、この太陽電池セルでは、従来例と異なり、np+ダイオードを構成するp+型領域3とn電極7とを分離させるための絶縁膜が必要なくなり、製造コスト低減を図ることができる。
請求項(抜粋):
第1導電型の第1領域と、上記第1導電型の第1領域の受光面側に形成された第2導電型の第2領域と、上記第1領域および第2領域が接したpn接合面の一部に、上記第1領域および第2領域に跨り、すなわち上記第1領域と第2領域の両方に突出するように形成され、上記第1導電型の第1領域よりも不純物濃度が高い第1導電型の第3領域とを備えたことを特徴とするバイパス機能付太陽電池セル。
FI (2件):
H01L 31/04 Y ,  H01L 31/04 E
Fターム (12件):
5F051AA02 ,  5F051AA08 ,  5F051BA02 ,  5F051BA11 ,  5F051BA14 ,  5F051CB19 ,  5F051DA03 ,  5F051DA17 ,  5F051DA19 ,  5F051DA20 ,  5F051GA04 ,  5F051HA03
引用特許:
審査官引用 (7件)
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