特許

J-GLOBAL ID：200903088443535284

半導体装置の製造方法および固体撮像装置の製造方法

発明者： 山下 浩史 ,  佐々木 道夫 ,  大澤 慎治 ,  松長 誠之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-234294
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082684
出願日： 1995年09月12日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】接続孔の開口形状が大きなテーパー角を有し、段差の少ない接続孔を提供すること。【解決手段】3層の膜から積層されている積層膜において、最上層の膜にテーパーのついた接続孔を形成し、その後異方性エッチングを行って、最上層の下にある第2層の膜に接続孔を形成する。異方性エッチングによるエッチング速度が、最上層の膜に比べて第2層の膜が遅いことによって、接続孔の開口形状が大きなテーパー角を有する。

請求項（抜粋）：

被加工膜の上にテーパーのついた開口部を有するマスクを形成する工程と、前記マスクのエッチング速度が前記被加工膜のエッチング速度よりも速くなる条件で、前記マスクと前記被加工膜とを異方性エッチングによって同時にエッチングする工程とを含む事を特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/14 ,  H01L 29/762 ,  H01L 21/339

FI (4件)：

H01L 21/302 L ,  H01L 21/28 V ,  H01L 27/14 ,  H01L 29/76 301 A