真空処理装置及び真空処理方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-157386
公開番号（公開出願番号）：特開2002-348671
出願日： 2001年05月25日
公開日（公表日）： 2002年12月04日
要約：

【要約】【課題】高周波電力によって生起されたプラズマを用いて堆積膜が形成される基体の作製を、高品質で歩留まり良く、かつ低コストで行う。【解決手段】堆積膜が形成される円筒状基体1112が設置された状態でプラズマが生起される反応容器1101内に、円筒状基体1112の温度を測定するための温度検知手段を設けず、内部の圧力及び供給されるガスの種類が反応容器1101の圧力及び供給されるガスの種類と同一であり、プラズマが生起されない温度検知専用容器1201内に、モニター用ヒーター1217と、モニター用ヒーター1217の近傍の温度を測定するための温度検知手段1218とを設け、温度検知手段1218にて測定されたモニター用ヒーター1217近傍の温度に基づいて、円筒状基体1112を加熱する基体加熱用ヒーター1117の温度を制御する。

請求項（抜粋）：

基体が内部に設置可能に構成された反応容器と、前記反応容器内に設けられ、前記基体を加熱するための基体加熱手段と、前記基体加熱手段に前記基体を加熱するための電力を供給する電力供給手段と、前記反応容器内に所定のガスを供給するためのガス供給手段とを少なくとも有し、前記ガス供給手段によって前記反応容器内に供給されたガスを分解してプラズマを形成することにより前記基体に対して所定の処理を施す真空処理装置において、前記電力供給手段から電力が供給されることにより発熱するとともに、近傍の温度を検出する温度検出手段を具備するモニター用ヒーターと、前記温度検出手段における検出結果及びその時の電力に基づいて前記電力供給手段にて発生する電力の前記基体加熱手段への供給を制御する電力調整手段とを有することを特徴とする真空処理装置。

IPC (4件)：

C23C 16/46 , B01J 3/00 , H01L 21/205 , G03G 5/08 360

FI (4件)：

C23C 16/46 , B01J 3/00 M , H01L 21/205 , G03G 5/08 360

Fターム (29件)：

2H068DA23 , 2H068EA24 , 2H068EA30 , 4K030JA10 , 4K030JA16 , 4K030KA24 , 4K030KA41 , 4K030LA17 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AD06 , 5F045AE19 , 5F045AF10 , 5F045BB08 , 5F045CA16 , 5F045DP25 , 5F045DP28 , 5F045EB02 , 5F045EC07 , 5F045EF03 , 5F045EF08 , 5F045EH04 , 5F045EH08 , 5F045EH12 , 5F045EK07 , 5F045EK22 , 5F045GB05 , 5F045GB15

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