特許

J-GLOBAL ID：200903088449501993

半導体装置の製造方法

発明者： 渡 辺 幸 雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-179694
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007390
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】 品質が可及的に高い半導体装置を得ることを可能にする。【解決手段】 第1の半導体層5,10と第2の半導体層23とを直接接着する際に所定の温度で熱処理するとともに第1の半導体層と第2の半導体層との接合部に通電することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1の半導体層と第2の半導体層とを直接接着する際に所定の温度で熱処理するとともに前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との接合部に通電することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (2件)：

H01L 33/00 B ,  H01S 3/18 677

Fターム (28件)：

5F041AA03 ,  5F041AA31 ,  5F041CA04 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA37 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA67 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA82 ,  5F041CA84 ,  5F041CA88 ,  5F073AA89 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB07 ,  5F073CB14 ,  5F073CB22 ,  5F073DA16 ,  5F073DA22 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29