特許
J-GLOBAL ID：200903088452058650
サージ吸収素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-179178
公開番号（公開出願番号）：特開2001-006840
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 表面実装が容易で、さらに製造も容易であるサージ吸収素子を提供すること。【解決手段】 積層構造の絶縁性セラミックス層8内に放電空間6を有し、放電空間6を挟んで、少なくとも一対の放射状に配置された内部電極4を埋設するサージ吸収素子であって、該内部電極4の少なくとも一対は、両端の外部電極1と電気的に接続していることを特徴とするサージ吸収素子。
請求項（抜粋）：
絶縁性セラミックス層内に放電空間を有し、該放電空間を含む同一平面上に該放電空間から放射状に対向して配置された一対以上の内部電極を埋設するサージ吸収素子であって、前記内部電極うちの少なくとも一対は、両端の外部電極と電気的に接続していることを特徴とするサージ吸収素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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