半導体レーザおよびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-093460
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310806
出願日： 1993年04月21日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】低歪のアナログ変調用の半導体レーザを歩留りよく得る。【構成】本発明の半導体レーザは共振器方向の一部にのみ回折格子を形成した半導体レーザにおいて、回折格子1を形成する領域が前面側(光出射面側)にかたより、かつ回折格子領域が端面から離れていることを特徴とする。このようにすれば、キャリアおよび電界強度分布の不均一が改善され、電流-光出力特性の線形性が向上しアナログ変調歪が低減されるとともに、両端面の回折格子の位相のランダム性の影響がなくなるため素子特性のばらつきが低減され歩留りが改善される。したがって、低歪アナログ変調用の半導体レーザを歩留り良く得ることができる。

請求項（抜粋）：

共振器方向において一部にのみ回折格子が形成された半導体レーザにおいて、回折格子を形成する領域が一方の端面側にかたより、かつ回折格子形成領域が端面から離れていることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , G02B 5/18

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭63-274192
特開平3-192788
特開平1-224767

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