特許

J-GLOBAL ID：200903088458824398

II-VI族化合物半導体装置

発明者： 松本 卓
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-013364
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232452
出願日： 1993年01月29日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 セレン化硫化亜鉛を含有するII-VI族化合物半導体装置の電極に対して、オーミック性の良好な電極形成法を可能とする。【構成】 セレン化硫化亜鉛を含有する半導体装置において、ZnSSe結晶上にSiあるいはGeのIV族半導体の内より下地ZnSSe結晶とより格子整合する1種を積層し、該IV族半導体バッファ層上に金属電極が形成されていることを特徴とするII-VI族化合物半導体によりオーミック性の良好な電極が形成可能となる。

請求項（抜粋）：

セレン化硫化亜鉛を含有する半導体装置において、ZnSx Se1-x (0≦x≦0.5)結晶上にSiバッファ層が積層され、このSiバッファ層上に金属電極が形成されていることを特徴とするII-VI族化合物半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/363